NTTFS5116PLTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTTFS5116PLTWG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Especificaciones:	NTTFS5116PLTWG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	185420 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 185420 pcs

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Especificaciones de NTTFS5116PLTWG

Número de pieza	NTTFS5116PLTWG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	185420 pcs	Ficha de datos	NTTFS5116PLTWG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-WDFN (3.3x3.3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	52 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.2W (Ta), 40W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	NTTFS5116PLTWG-ND NTTFS5116PLTWGOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	50 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1258pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	25nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta)

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