NTMSD6N303R2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMSD6N303R2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Especificaciones:	NTMSD6N303R2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4739 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4739 pcs

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Especificaciones de NTMSD6N303R2G

Número de pieza	NTMSD6N303R2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4739 pcs	Ficha de datos	NTMSD6N303R2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	FETKY™	RDS (Max) @Id, Vgs	32 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	NTMSD6N303R2GOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 24V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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