NTMS4101PR2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMS4101PR2
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
Especificaciones:	NTMS4101PR2.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	157169 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 157169 pcs

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Especificaciones de NTMS4101PR2

Número de pieza	NTMS4101PR2	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	157169 pcs	Ficha de datos	NTMS4101PR2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	450mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.38W (Tj)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	NTMS4101PR2OS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.9A (Ta)

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