NTMFS6H818NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMFS6H818NT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRENCH 8 80V NFET
Especificaciones:	NTMFS6H818NT1G.pdf
Condición de stock	40539 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40539 pcs

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Especificaciones de NTMFS6H818NT1G

Número de pieza	NTMFS6H818NT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRENCH 8 80V NFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	40539 pcs	Ficha de datos	NTMFS6H818NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 190µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.7 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.8W (Ta), 136W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads	Otros nombres	NTMFS6H818NT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo	Lead free	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	46nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	N-Channel 80V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta), 123A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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