NTMFS4897NFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMFS4897NFT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V SO-8FL
Especificaciones:	NTMFS4897NFT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	79415 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79415 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de NTMFS4897NFT1G

Número de pieza	NTMFS4897NFT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V SO-8FL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	79415 pcs	Ficha de datos	NTMFS4897NFT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)	950mW (Ta), 96.2W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads	Otros nombres	NTMFS4897NFT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5660pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	83.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 171A (Tc)

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Después de las ventas
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