NTMFD5C680NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMFD5C680NLT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	T6 60V LL SO8FL DUAL
Especificaciones:	NTMFD5C680NLT1G.pdf
Condición de stock	96098 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96098 pcs

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Especificaciones de NTMFD5C680NLT1G

Número de pieza	NTMFD5C680NLT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	T6 60V LL SO8FL DUAL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	96098 pcs	Ficha de datos	NTMFD5C680NLT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 13µA	Paquete del dispositivo	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	28 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max	3W (Ta), 19W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	NTMFD5C680NLT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	50 Weeks
Estado sin plomo	Lead free	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.5A (Ta), 26A (Tc) 3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta), 26A (Tc)

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