NTMFD4901NFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMFD4901NFT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Especificaciones:	NTMFD4901NFT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	74679 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74679 pcs

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Especificaciones de NTMFD4901NFT1G

Número de pieza	NTMFD4901NFT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	74679 pcs	Ficha de datos	NTMFD4901NFT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	6.5 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max	1.1W, 1.2W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	NTMFD4901NFT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A, 17.9A

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