NTLJF4156NTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTLJF4156NTAG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Especificaciones:	NTLJF4156NTAG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	396168 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 396168 pcs

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Especificaciones de NTLJF4156NTAG

Número de pieza	NTLJF4156NTAG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	396168 pcs	Ficha de datos	NTLJF4156NTAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-WDFN (2x2)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	70 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	710mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad	Otros nombres	NTLJF4156NTAGOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	427pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tj)

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