NTJD4401NT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTJD4401NT1
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
Especificaciones:	NTJD4401NT1.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5703 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5703 pcs

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Especificaciones de NTJD4401NT1

Número de pieza	NTJD4401NT1	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5703 pcs	Ficha de datos	NTJD4401NT1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Potencia - Max	270mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	NTJD4401NT1OS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	630mA	Número de pieza base	NTJD4401N

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Especificaciones

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