NTJD4105CT2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTJD4105CT2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Especificaciones:	NTJD4105CT2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	450256 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 450256 pcs

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Especificaciones de NTJD4105CT2G

Número de pieza	NTJD4105CT2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	450256 pcs	Ficha de datos	NTJD4105CT2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Potencia - Max	270mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	NTJD4105CT2G-ND NTJD4105CT2GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3nC @ 4.5V	Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V, 8V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	630mA, 775mA
Número de pieza base	NTJD4105C

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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