| Número de pieza | NTHS5441T1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 224511 pcs | Ficha de datos | NTHS5441T1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | ChipFET™ |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead | Otros nombres | NTHS5441T1GOS NTHS5441T1GOS-ND NTHS5441T1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
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|---|---|---|
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