NTHD4102PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTHD4102PT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Especificaciones:	NTHD4102PT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	357948 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 357948 pcs

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Especificaciones de NTHD4102PT1G

Número de pieza	NTHD4102PT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	357948 pcs	Ficha de datos	NTHD4102PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	ChipFET™
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max	1.1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	NTHD4102PT1GOS NTHD4102PT1GOS-ND NTHD4102PT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A
Número de pieza base	NTHD4102P

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Especificaciones

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