NTDV20P06LT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTDV20P06LT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Especificaciones:	NTDV20P06LT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	102622 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 102622 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de NTDV20P06LT4G

Número de pieza	NTDV20P06LT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	102622 pcs	Ficha de datos	NTDV20P06LT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	150 mOhm @ 7.5A, 5V
La disipación de energía (máximo)	65W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	NTDV20P06LT4G-VF01OSCT NTDV20P06LT4G-VF01OSCT-ND NTDV20P06LT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	26nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 15.5A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15.5A (Ta)

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