NTD5802NT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD5802NT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
Especificaciones:	NTD5802NT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	81440 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81440 pcs

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Especificaciones de NTD5802NT4G

Número de pieza	NTD5802NT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	81440 pcs	Ficha de datos	NTD5802NT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.4 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	NTD5802NT4GOSDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5025pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	100nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16.4A (Ta), 101A (Tc)

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