| Número de pieza | NTD4302T4G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 103307 pcs | Ficha de datos | NTD4302T4G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.04W (Ta), 75W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | NTD4302T4GOS NTD4302T4GOS-ND NTD4302T4GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 24V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 80nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Ta), 68A (Tc) |
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|---|---|---|
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