NTD20N06LG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTD20N06LG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Especificaciones:	NTD20N06LG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4369 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4369 pcs

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Especificaciones de NTD20N06LG

Número de pieza	NTD20N06LG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 20A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4369 pcs	Ficha de datos	NTD20N06LG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	48 mOhm @ 10A, 5V
La disipación de energía (máximo)	1.36W (Ta), 60W (Tj)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	NTD20N06LG-ND NTD20N06LGOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	990pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 20A (Ta) 1.36W (Ta), 60W (Tj) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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