| Número de pieza | NTB60N06T4G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 82341 pcs | Ficha de datos | NTB60N06T4G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D2PAK |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 14 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | NTB60N06T4GOS NTB60N06T4GOS-ND NTB60N06T4GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 81nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
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