NSBC115TDP6T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NSBC115TDP6T5G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Especificaciones:	NSBC115TDP6T5G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	510307 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 510307 pcs

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Especificaciones de NSBC115TDP6T5G

Número de pieza	NSBC115TDP6T5G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	510307 pcs	Ficha de datos	NSBC115TDP6T5G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Paquete del dispositivo	SOT-963
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	-
Resistor - Base (R1)	100 kOhms	Potencia - Max	339mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SOT-963
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	4 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	-	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V	Corriente - corte del colector (Max)	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA	Número de pieza base	NSBC1*

Modo de transporte
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