NRVHPD660T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NRVHPD660T4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Especificaciones:	NRVHPD660T4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	124766 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 124766 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.152

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Especificaciones de NRVHPD660T4G

Número de pieza	NRVHPD660T4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	124766 pcs	Ficha de datos	NRVHPD660T4G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	3V @ 6A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V
Paquete del dispositivo	DPAK	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK	Corriente - Fuga inversa a Vr	30µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)	6A	Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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