NJD35N04G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NJD35N04G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Especificaciones:	NJD35N04G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	156061 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156061 pcs

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1 pcs: $0.335

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Especificaciones de NJD35N04G

Número de pieza	NJD35N04G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	156061 pcs	Ficha de datos	NJD35N04G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	350V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 20mA, 2A
Tipo de transistor	NPN - Darlington	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	Potencia - Max	45W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	NJD35N04G-ND NJD35N04GOS	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	2 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	90MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 2A, 2V	Corriente - corte del colector (Max)	50µA
Corriente - colector (Ic) (Max)	4A	Número de pieza base	NJD35N04

Modo de transporte
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