| Número de pieza | NIF9N05CLT1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3992 pcs | Ficha de datos | NIF9N05CLT1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±15V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-223 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.69W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA | Otros nombres | NIF9N05CLT1GOS NIF9N05CLT1GOS-ND NIF9N05CLT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 35V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 59V |
| Descripción detallada | N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
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