NGTB15N60EG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NGTB15N60EG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Especificaciones:	NGTB15N60EG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	74324 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74324 pcs

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Especificaciones de NGTB15N60EG

Número de pieza	NGTB15N60EG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	IGBT 600V 30A 117W TO220-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	74324 pcs	Ficha de datos	NGTB15N60EG.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	600V	Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 15A
Condición de prueba	400V, 15A, 22 Ohm, 15V	Td (encendido / apagado) @ 25 ° C	78ns/130ns
Cambio de Energía	900µJ (on), 300µJ (off)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	270ns
Potencia - Max	117W	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	NGTB15N60EG-ND NGTB15N60EGOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada	Standard	Tipo de IGBT	NPT
puerta de carga	80nC	Descripción detallada	IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
Corriente - Colector Pulsada (ICM)	120A	Corriente - colector (Ic) (Max)	30A

Modo de transporte
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Especificaciones

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