NDUL03N150CG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDUL03N150CG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3
Especificaciones:	NDUL03N150CG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	64758 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64758 pcs

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Especificaciones de NDUL03N150CG

Número de pieza	NDUL03N150CG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	64758 pcs	Ficha de datos	NDUL03N150CG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-3P(L)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	10.5 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 50W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-3PL	Otros nombres	NDUL03N150CGOS
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	34nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1500V	Descripción detallada	N-Channel 1500V 2.5A (Ta) 3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

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