NDT455N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDT455N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
Especificaciones:	1.NDT455N.pdf 2.NDT455N.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5829 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5829 pcs

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Especificaciones de NDT455N

Número de pieza	NDT455N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5829 pcs	Ficha de datos	1.NDT455N.pdf 2.NDT455N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223-4
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	15 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	NDT455NTR
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1220pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	61nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 11.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)

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