NDS352AP

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDS352AP
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Especificaciones:	1.NDS352AP.pdf 2.NDS352AP.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	359783 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 359783 pcs

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Especificaciones de NDS352AP

Número de pieza	NDS352AP	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	359783 pcs	Ficha de datos	1.NDS352AP.pdf 2.NDS352AP.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	NDS352APTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	135pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Ta)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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