NDP6060L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDP6060L
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
Especificaciones:	1.NDP6060L.pdf 2.NDP6060L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	72741 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72741 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.04

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Especificaciones de NDP6060L

Número de pieza	NDP6060L	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	72741 pcs	Ficha de datos	1.NDP6060L.pdf 2.NDP6060L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	20 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	11 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	60nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 48A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)

Modo de transporte
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