NDDL01N60ZT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NDDL01N60ZT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
Especificaciones:	NDDL01N60ZT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4428 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4428 pcs

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Especificaciones de NDDL01N60ZT4G

Número de pieza	NDDL01N60ZT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4428 pcs	Ficha de datos	NDDL01N60ZT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	15 Ohm @ 400mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	26W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	92pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.9nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 800mA (Ta) 26W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)

Modo de transporte
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