MVGSF1N03LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MVGSF1N03LT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
Especificaciones:	MVGSF1N03LT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	325714 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 325714 pcs

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Especificaciones de MVGSF1N03LT1G

Número de pieza	MVGSF1N03LT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	325714 pcs	Ficha de datos	MVGSF1N03LT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 1.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	420mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	MVGSF1N03LT1G-ND MVGSF1N03LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)

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