MVDF1N05ER2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MVDF1N05ER2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Especificaciones:	MVDF1N05ER2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5993 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5993 pcs

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Especificaciones de MVDF1N05ER2G

Número de pieza	MVDF1N05ER2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5993 pcs	Ficha de datos	MVDF1N05ER2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max	2W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.5nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	50V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A

Modo de transporte
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Especificaciones

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