MVB50P03HDLT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MVB50P03HDLT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	INTEGRATED CIRCUIT
Especificaciones:	MVB50P03HDLT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4953 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4953 pcs

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Especificaciones de MVB50P03HDLT4G

Número de pieza	MVB50P03HDLT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	INTEGRATED CIRCUIT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4953 pcs	Ficha de datos	MVB50P03HDLT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK-3
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 5V
La disipación de energía (máximo)	125W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4.9nF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	100nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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