MTD3055V

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MTD3055V
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Especificaciones:	MTD3055V.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	67576 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67576 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.335

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Especificaciones de MTD3055V

Número de pieza	MTD3055V	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	67576 pcs	Ficha de datos	MTD3055V.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	150 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.9W (Ta), 48W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	MTD3055V-ND MTD3055VTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 12A (Ta) 3.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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