MMUN2111LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MMUN2111LT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Especificaciones:	MMUN2111LT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5395352 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5395352 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.008

6000 pcs: $0.007

15000 pcs: $0.006

30000 pcs: $0.006

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150000 pcs: $0.004

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Especificaciones de MMUN2111LT1G

Número de pieza	MMUN2111LT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5395352 pcs	Ficha de datos	MMUN2111LT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potencia - Max	246mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	MMUN2111LT1GOS MMUN2111LT1GOS-ND MMUN2111LT1GOSTR	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V	Corriente - corte del colector (Max)	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA	Número de pieza base	MMUN21**L

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