MMDF2N02ER2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MMDF2N02ER2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
Especificaciones:	MMDF2N02ER2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5557 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5557 pcs

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Especificaciones de MMDF2N02ER2G

Número de pieza	MMDF2N02ER2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5557 pcs	Ficha de datos	MMDF2N02ER2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Potencia - Max	2W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	MMDF2N02ER2GOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	532pF @ 16V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A

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