MJE18008G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MJE18008G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN 450V 8A TO220AB
Especificaciones:	MJE18008G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	94182 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94182 pcs

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Especificaciones de MJE18008G

Número de pieza	MJE18008G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN 450V 8A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	94182 pcs	Ficha de datos	MJE18008G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	450V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 900mA, 4.5V
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	SWITCHMODE™	Potencia - Max	125W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Otros nombres	MJE18008GOS	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	13MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 8A 13MHz 125W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	14 @ 1A, 5V	Corriente - corte del colector (Max)	100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)	8A

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Después de las ventas
Especificaciones

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