MJ11016

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MJ11016
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Especificaciones:	MJ11016.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5190 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5190 pcs

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Especificaciones de MJ11016

Número de pieza	MJ11016	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN DARL 120V 30A TO3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5190 pcs	Ficha de datos	MJ11016.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	120V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	4V @ 300mA, 30A
Tipo de transistor	NPN - Darlington	Paquete del dispositivo	TO-204 (TO-3)
Serie	-	Potencia - Max	200W
embalaje	Tray	Paquete / Cubierta	TO-204AA, TO-3
Otros nombres	MJ11016OS	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frecuencia - Transición	4MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 20A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	1mA	Corriente - colector (Ic) (Max)	30A

Modo de transporte
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Especificaciones

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