MBT35200MT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MBT35200MT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Especificaciones:	MBT35200MT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	412569 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 412569 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.058

6000 pcs: $0.054

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Especificaciones de MBT35200MT1G

Número de pieza	MBT35200MT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS PNP 35V 2A 6TSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	412569 pcs	Ficha de datos	MBT35200MT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	35V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	310mV @ 20mA, 2A
Tipo de transistor	PNP	Paquete del dispositivo	6-TSOP
Serie	-	Potencia - Max	625mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SOT-23-6
Otros nombres	MBT35200MT1GOS MBT35200MT1GOS-ND MBT35200MT1GOSTR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	25 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	100MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1.5A, 1.5V	Corriente - corte del colector (Max)	100nA
Corriente - colector (Ic) (Max)	2A	Número de pieza base	MBT35200

Modo de transporte
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Especificaciones

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