J112RLRAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	J112RLRAG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	JFET N-CH 35V 0.35W TO92
Especificaciones:	J112RLRAG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5049 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5049 pcs

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Especificaciones de J112RLRAG

Número de pieza	J112RLRAG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	JFET N-CH 35V 0.35W TO92	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5049 pcs	Ficha de datos	J112RLRAG.pdf
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id	1V @ 1µA	Tensión - Breakdown (V (BR) GSS)	35V
Paquete del dispositivo	TO-92-3	Serie	-
Resistencia - RDS (on)	50 Ohms	Potencia - Max	350mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres	J112RLRAG-ND J112RLRAGOSTR	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Tipo FET	N-Channel	Descripción detallada	JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)	5mA @ 15V	Número de pieza base	J112

Modo de transporte
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