IRLW610ATM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRLW610ATM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Especificaciones:	IRLW610ATM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6029 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6029 pcs

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Especificaciones de IRLW610ATM

Número de pieza	IRLW610ATM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6029 pcs	Ficha de datos	IRLW610ATM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK (TO-262)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 33W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Tc)

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