IRLM220ATF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRLM220ATF
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Especificaciones:	1.IRLM220ATF.pdf 2.IRLM220ATF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	88451 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 88451 pcs

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Especificaciones de IRLM220ATF

Número de pieza	IRLM220ATF	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	88451 pcs	Ficha de datos	1.IRLM220ATF.pdf 2.IRLM220ATF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223-4
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	800 mOhm @ 570mA, 5V
La disipación de energía (máximo)	2W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	IRLM220ATFCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 1.13A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.13A (Ta)

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Especificaciones

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