IRFW630BTM-FP001

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRFW630BTM-FP001
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Especificaciones:	IRFW630BTM-FP001.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	92328 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 92328 pcs

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Especificaciones de IRFW630BTM-FP001

Número de pieza	IRFW630BTM-FP001	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	92328 pcs	Ficha de datos	IRFW630BTM-FP001.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK (TO-263AB)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.13W (Ta), 72W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	IRFW630BTM_FP001 IRFW630BTM_FP001-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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