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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | HUFA76429D3ST-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 84148 pcs | Ficha de datos | 1.HUFA76429D3ST-F085.pdf2.HUFA76429D3ST-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-252AA |
| Serie | UltraFET™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 23 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | HUFA76429D3ST-F085CT HUFA76429D3ST_F085CT HUFA76429D3ST_F085CT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 29 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 46nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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