HUFA76413DK8T

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	HUFA76413DK8T
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Especificaciones:	HUFA76413DK8T.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4104 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4104 pcs

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Especificaciones de HUFA76413DK8T

Número de pieza	HUFA76413DK8T	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4104 pcs	Ficha de datos	HUFA76413DK8T.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	UltraFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	49 mOhm @ 5.1A, 10V
Potencia - Max	2.5W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	HUFA76413DK8TDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.1A

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