HUF75852G3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	HUF75852G3
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
Especificaciones:	HUF75852G3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	19324 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19324 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $3.185

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450 pcs: $2.165

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Especificaciones de HUF75852G3

Número de pieza	HUF75852G3	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 150V 75A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	19324 pcs	Ficha de datos	HUF75852G3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	UltraFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	16 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)	500W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	HUF75852G3-ND HUF75852G3FS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7690pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	480nC @ 20V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	150V
Descripción detallada	N-Channel 150V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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