FW389-TL-2W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FW389-TL-2W
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC
Especificaciones:	FW389-TL-2W.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	189908 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 189908 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.142

5000 pcs: $0.134

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Especificaciones de FW389-TL-2W

Número de pieza	FW389-TL-2W	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	189908 pcs	Ficha de datos	FW389-TL-2W.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	225 mOhm @ 2A, 10V
Potencia - Max	1.8W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FW389-TL-2W-ND FW389-TL-2WOSTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A

Modo de transporte
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