FQU11P06TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQU11P06TU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Especificaciones:	FQU11P06TU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	127983 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 127983 pcs

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Especificaciones de FQU11P06TU

Número de pieza	FQU11P06TU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	127983 pcs	Ficha de datos	FQU11P06TU.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	185 mOhm @ 4.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 38W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	P-Channel 60V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Tc)

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