FQPF6N40CT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQPF6N40CT
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
Especificaciones:	FQPF6N40CT.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4804 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4804 pcs

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Especificaciones de FQPF6N40CT

Número de pieza	FQPF6N40CT	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4804 pcs	Ficha de datos	FQPF6N40CT.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	38W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	400V	Descripción detallada	N-Channel 400V 6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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