FQP4N20L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQP4N20L
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
Especificaciones:	1.FQP4N20L.pdf 2.FQP4N20L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	130023 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 130023 pcs

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Especificaciones de FQP4N20L

Número de pieza	FQP4N20L	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	130023 pcs	Ficha de datos	1.FQP4N20L.pdf 2.FQP4N20L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	45W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	5 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A (Tc)

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