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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FQP3N50C-F080 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 78482 pcs | Ficha de datos | FQP3N50C-F080.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220-3 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 62W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | FQP3N50C-F080-ND FQP3N50C-F080OS FQP3N50C_F080 FQP3N50C_F080-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 365pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 1.8A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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