FQI17P06TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQI17P06TU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK
Especificaciones:	FQI17P06TU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4392 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4392 pcs

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Especificaciones de FQI17P06TU

Número de pieza	FQI17P06TU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4392 pcs	Ficha de datos	FQI17P06TU.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK (TO-262)
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	120 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.75W (Ta), 79W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Modo de transporte
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