FQH44N10-F133

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQH44N10-F133
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
Especificaciones:	FQH44N10-F133.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59175 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59175 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.246

10 pcs: $1.112

450 pcs: $0.823

900 pcs: $0.667

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Especificaciones de FQH44N10-F133

Número de pieza	FQH44N10-F133	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 48A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59175 pcs	Ficha de datos	FQH44N10-F133.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	39 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo)	180W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	FQH44N10_F133 FQH44N10_F133-ND FQH44N10_F133FS FQH44N10_F133FS-ND FQH44N10F133
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	62nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 48A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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